快速老化小鼠海马神经元电压门控离子通道特点

摘要

目的 :观察快速老化小鼠 (Senescence acceleratedmouse ,SAM)海马神经元的基本离子通道特点 ,并对抗快速老化亚系 (SAM resistance 1,SAMR1)与快速老化亚系 (SAM prone 8,SAMP8)的基本离子通道特点进行了比较 ,探讨离子通道变化在衰老中的可能角色。方法 :应用全细胞记录方式 ,观察并比较原代培养SAMR1和SAMP8海马神经元的电压门控离子通道及膜参数。 结果 :原代培养SAMR1和SAMP8海马神经元电压门控Na+通道电流 (INa)和电压门控延迟整流K+通道电流 (Ik)的电学特点和幅度基本一致。SAMP8的电压门控Ca2 +通道电流 (ICa)和瞬时外向K+通道电流 (IA)的幅值则大于相同培养天数的SAMR1。经膜电容校正所得的ICa电流密度也表现出增大的变化规律。 结论 :SAMP8与SAMR1神经元间IA和ICa的差异可能与其神经系统变异而产生的学习记忆功能下降有关。