双侧伏隔核高频脑深部电刺激抑制大鼠成瘾行为消退

摘要

目的研究吗啡成瘾大鼠消退期高频脑深部电刺激（DBS）刺激双侧伏隔核对吗啡诱导位置偏爱及复吸行为的影响。方法选取成年SD大鼠20只,体重280~300 g,将电极外套管通过立体定向手术植入大鼠双侧伏隔核核心部,术后休息5 d,应用腹腔注射吗啡（10 mg/kg）诱导建立吗啡成瘾大鼠位置偏爱模型,建模成功后采用随机数字表法将大鼠随机分为实验组（吗啡+DBS,n=9）和对照组（吗啡+假刺激,n=9）,通过DBS电路给予电刺激;实验组给予高频电刺激（刺激参数:频率120 Hz,波宽60 ms,刺激强度0.3 mA,刺激时间30 min/d）,对照组给予假刺激。刺激后次日开始测试两组大鼠位置偏爱评分至消退成功,比较两组消退时间;两组大鼠分别于消退成功24 h内诱导复吸,测试位置偏爱评分并进行组间比较。结果实验组成瘾消退期平均时间（26 d）较对照组（6 d）明显延长。点燃复吸后,实验组伴药箱停留时间为（357.01±192.72）s,显著短于对照组[（704.91±181.35）s;t=2.370,P=0.0346]。结论高频刺激成瘾大鼠双侧伏隔核会延长成瘾行为消退时间,但会抑制点燃复吸行为。