应用膜片钳技术对缺氧和非缺氧两种状态下NMDA受体特性研究

摘要

目的 通过对正常和缺氧条件下N-甲基-D-天冬氨酸(NMDA)受体特性进行研究,探讨下丘脑神经元缺氧损伤的机理,为临床防治脑缺血/缺氧损伤提供实验依据.方法 取材于新生SD大鼠下丘脑视前区/下丘脑前区(PO/AH)神经元应用膜片钳单通道记录技术对缺氧和非缺氧两种状态下NMDA受体特性进行研究,观察其在缺氧和非缺氧条件下的翻转电位、电流幅度、电导特性的变化.结果 神经元缺氧后其通道内向电流幅值由平均(4.501±0.980)pA(n=20,40 mV)上升为(6.000±1.750)pA(n=16,40 mV),优势电导由非缺氧组的(45.693±1.850)pS(n=16)上升为(60.206±1.750)pS(n=10),而翻电位极为接近.结论 缺氧是使NMDA受体通道过度激活和Ca2+大量内流的一外因条件,神经元缺氧时,同一钳制电压下其内向电流幅度明显高于对照组,优势电导也有明显上升,可以解释为缺氧引起了神经元Ca2+超载,从而介导了细胞的损伤和死亡.