一种基于n-ZnS/p-CuSCN纳米薄膜的高开关比和稳定性紫外光电探测器

摘要

通过原位生长法制备了一种CuSCN纳米薄膜紫外光电探测器,在-1 V偏压下,入射光为350 nm时,CuSCN紫外光电探测器的开关比~94,响应/恢复时间~1.41 s/1.44 s。但这种器件仍不能称之为一种高性能的光电探测器。为进一步提高CuSCN纳米薄膜的光电性能,我们制备了一种基于n-ZnS/p-CuSCN复合薄膜的紫外光电探测器,并对制备的样品进行了形貌、成分和性能分析。结果显示,在-1 V偏压下,入射波长为350 nm时,ZnS/CuSCN紫外光电探测器表现出比CuSCN紫外光电探测器更高的光电流和更低的暗电流,分别为1.22×10^(-5)A和4.8×10^(-9)A。基于ZnS/CuSCN纳米薄膜的紫外光电探测器开关比-2542,响应/恢复时间为0.47 s/0.48 s,在350 nm波长下具备最佳的响应度和探测率,分别为5.17 mA/W和1.32×10^(11) Jones。此外,n-ZnS/p-CuSCN复合薄膜在室温下性能稳定,具有作为高性能紫外探测器的潜力。