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北京师范大学低能所;
物理系;
北京有色所;
中国科学院半导体所;
GaAs; x=0.39; 离子注入; 离子掺杂; 发光强度; 光强; x; x)P_x; Zn;
机译:用X射线衍射研究In_xGa_(1-x)As / GaAs和GaAs_(1-x)P_x / GaAs梯度外延膜的浓度和弛豫深度分布
机译:GaAs_(1-x)P_x / GaAs_(0.6)P_(0.4)量子点中磁场诱导的激子结合能
机译:无应变GaAs_(1-x)P_x和Al_xIn_(1-x)As合金的电子结构的全区k.p模型
机译:用于砷化镓/砷化镓磷化镓的光谱检查微光致发光测量系统的研制(GaAs / GaAs_(1-x)P_x)
机译:集成计算材料工程(ICME)研究沉淀强化的Al-Zn-Zr和Al-Zn-Ni三元合金的电导率和热力学稳定性
机译:包含共价固定的(ZnS)x(CuInS2)1-x / ZnS(核/壳)量子点的荧光纤维素气凝胶
机译:混晶GaAs_(1-x)P_x(Te)深中心的电声耦合和光电特性
机译:Zn(1-x)Cd(x)se厚外延层和Zn(1-x)Cd(x)se / Znse应变层多量子阱光致发光谱中光学跃迁的静水压研究
机译:HG 1-X CD X TE以及HG 1-X ZN X TE的获取方法及其获取系统
机译:使用该合金向Mn-Zn合金镀浴中补充Zn离子和Mn离子的方法以及Mn-Zn合金的制造方法
机译:Co-ZN合金的生产以及利用该合金将Co离子和ZN离子补充到Co-ZN合金镀浴中的方法
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