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周伟; 梁基本; 徐波; 龚谦; 李含轩; 刘峰奇; 姜卫红; 江潮; 许怀哲; 丁鼎; 张金福; 王占国;
中国科学院导半体研究所,半导体材料科学开放实验室;
红光量子点; 表面扩散; 光荧光; 铟铝砷;
机译:InAlAs和GaAs应变缓冲层组合对InAs量子点的结构和光学性质的影响
机译:快速热退火对被InAlAs / InGaAs层覆盖的自组装InAs / GaAs量子点的结构和光学性质的影响
机译:InAlAs / InGaAs复合基质的InAs量子点的光学性质
机译:用于太阳能电池的(铟,镓)砷化物量子点材料:应变降低和应变补偿势垒对量子点结构和光学性质的影响
机译:通过InAlAs中间层改变GaAsSb封盖的InAs量子点的光学性质
机译:通过Inalas中间层改变Gaassb封装InAs量子点的光学性质
机译:Inas / Gaas量子点结构的光学性质和跳跃电导率。
机译:具有最大和发射波长的半全宽的红光量子点及其用于制备高纯度显示器的方法
机译:包含带有发射红光的荧光粉和发射绿光的量子点的远程荧光粉封装的设备
机译:包含聚芴衍生物和红光量子点的发白光复合膜,其制造方法和白光有机电致发光器件
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