纳米Gd2O3中两种格位Eu3+的电荷迁移态激发跃迁

刘春旭; 张家骅; 吕少哲; 刘俊业; 花景田

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纳米Gd2O3中两种格位Eu3+的电荷迁移态激发跃迁

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观测了粒径分别为15,23,135 nm的立方相Gd2O3:Eu3+的选择激发光谱、发射光谱和激发光谱.受强量子限域效应的影响,纳米Gd2O3:Eu3+的激发光谱的强度表现出对颗粒尺寸的明显依赖性.用Jorgensen公式计算电荷迁移带的位置,与实验测得激发光谱中位置相一致.通过电荷迁移带不同位置的选择激发光谱可以分辨出立方相Gd2O3:Eu3+中C2和S6格位Eu3+的发光,从选择激发的发射光谱和激发光谱结果计算出C2和S6格位电荷迁移带的激发光谱,与实验结果相符合.

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来源
《发光学报》 |2004年第2期|193-196|共4页
作者
刘春旭; 张家骅; 吕少哲; 刘俊业; 花景田;
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作者单位

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

长春职业技术学院,吉林,长春,130021;

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正文语种 chi
中图分类发光学;
关键词
Gd2O3:Eu3+纳米晶; 电荷迁移带; 格位选择激发光谱;

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