TFT-LCD中电容对公共电压的影响

摘要

为分析TFT-LCD线残像,研究了画面驱动数据电压通过电容(C_(DC))对公共电压的影响。首先根据实际膜层分布,描述电容在膜层的具体构成,并建立电路等效模型,测量并分析TFT-LCD实际工作状态的电容。然后,建立方法测试棋盘格画面公共电压畸变并分析其造成线残像的机理。最后,设置“黑灰条”画面使畸变量最大化以便于分析畸变的形成过程和影响因素。实验结果表明TFT开关关闭时呈现高阻态,C_(DC)仅为公共电压和数据电压金属线交叠电容(C_(0)),电容值为55 fF;TFT完全打开时呈现低阻态,C_(DC)由存储电容和C_(0)并联构成,电容值为530 fF;当TFT处于中间态时,测试得到的电容值为中间值。电容值越大,数据电压转换速度越快,畸变量越大。降低转换速度(48 ns→53 ns),可减小畸变量(2.67 V→2.61 V)。