TFT-LCD摩擦工艺过程中静电放电不良分析及改善设计

摘要

cqvip:本文对摩擦工艺过程中的线不良进行了分析,通过切割验证、设计方案变更验证了降低ESD风险的两个方向。通过实际的验证结果分析发现,减小填充图形的面积或者将填充图形连接到公共电极,同时搭配填充图形到信号线的距离增加到大于60μm,可以大大降低静电放电发生的概率,不良率由20%降低到0%。结果充分表明,此设计方案可应用于实际产品设计中以降低摩擦工艺过程中的ESD风险。