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刘祥林; 董逊; 黎大兵;
中国科学院,半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;
InGaAlN; 生长; 光学性质; 低维结构; 铟聚集;
机译:低硼四元B_xGa_(1-x)As_(1-y)Sb_y合金的电子和光学性质:第一性原理研究
机译:分子束外延生长三元合金BeZnO和四元合金BeMgZnO薄膜的结构和光学性质
机译:闪锌矿B_xAl_yGa_(1x_y)N四元合金的结构,电子和光学性质的第一性原理研究
机译:低维硅结构的第一原理光学性质
机译:通过分子束外延生长的II-VI复合低维结构的光学性质。
机译:四元GaAs1-x-y的电子和光学性质ñX双ÿ 与GaAs晶格匹配的合金:第一性原理研究
机译:合金化四元CdSeTeS核和CdSeTeS / ZnS核-壳量子点的结构和光学性质
机译:InGaalN合金中的氢扩散和钝化
机译:具有二阶非线性光学性质的环氧树脂低聚物,生色团和具有二阶非线性光学性质的含低聚物的交联层状环氧树脂/ MMT复合材料的制造方法
机译:具有二阶非线性光学性质的环氧树脂低聚物,铬酸盐以及制造具有二阶非线性光学性质的含低聚物的交联层状环氧树脂/ MMT复合材料的方法
机译:生产由四元环或四元六环形成的规则三维结构的寡聚N-烷基-亚氨基丙氨酸的方法
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