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InGaAlN四元合金的光学性质和微观结构

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本文系统地研究了InGaAlN在不同温度下的生长规律.用光致光谱(PL)和时间分辨光谱(TRPL)分析了InGaAlN的光学性质.我们发现:在高温GaN过渡层上生长的InGaAlN,呈现零维发光性质;而在低温GaN缓冲层上直接生长的InGaAlN,呈现二维发光性质.这些结果说明,由于合金涨落原因,在InGaAlN中存在类似量子点或量子盘的In聚集.

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来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|92-94|共3页
会议地点牡丹江
作者
刘祥林; 董逊; 黎大兵;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.26;
关键词
InGaAlN四元合金; 光学性质; 微观结构; 光致发光谱; 时间分辨光谱;
入库时间 2022-08-17 11:07:34

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