HgI2-HI-H2O溶液中静电场诱导的α-碘化汞晶体生长

摘要

在HgI2-HI-H2O溶液体系中,采用静电场诱导技术生长了HgI2晶体.利用紫外-可见光谱分析了溶液中分子/离子的存在形式;通过改变电场强度和溶液浓度等因素,得到了不同形貌的HgI2晶体.结果表明,HgI2-HI-H2O溶液中存在[HgI3]-,[HgI4]2-和HgI2等3种主要成分.静电场诱导离子发生定向迁移,形成取向性生长的晶体,晶体形貌受电场诱导和结构因素(分子键力)共同制约.溶质(负离子)向正极迁移,形成颗粒度大的HgI2晶体;负极主要是由中性HgI2键合并相变形成的小颗粒HgI2晶体.分析认为,HgI2-HI-H2O溶液中负离子可以成为晶体生长的基本单元.