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三缺位杂多阴离子α-A-PW9O349-的甲基硅衍生物(TBA)3α-A-PW9O34(CH3SiO)3(CH3Si)的合成和晶体结构

         

摘要

@@ 杂多化合物SiW11O398-的有机硅衍生物早在1978年就由Knoth报道[1],后来又有人报道了α-PW11O397-和α-PW9MO2O397-的有机硅衍生物[2,3].该类衍生物在抗HIV-1方面有重要的用途[4,5],因而,近年来引起了人们极大的重视.1996年Thouvenot及其合作者研究了三缺位杂多阴离子与有机硅的反应,并在相转移条件下合成了一些杂多阴离子的有机硅衍生物[6~9],但到目前为止,有关杂多化合物的有机硅衍生物报道还很少,该类化合物的晶体结构报道更少.本文报道了化合物(TBA)3[α-A-PW9O34(CH3SiO)3(CH3Si)](1)(TBA为四丁基铵盐的缩写)的合成和晶体结构.

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