低温高压条件下裂解聚吡咙薄膜导电性的初步研究

摘要

通过对裂解聚吡咙（ＰＭＤＡ－ＤＡＢ）薄膜导电性与环境温度、裂解温度及压力关系的研究表明：其室温电导率随所加压力与裂解温度的升高而增加。电导与温度的依赖行为有赖于裂解温度Ｔｐ及所加的压力。在Ｔｐ〈８００℃时，碳化过程产物能符合三维变程跃迁模型；而在Ｔｐ〉８００℃时，石墨化过程产物则比较符合修正的三维变程跃迁模型。最大的电导率是在裂解温度为１２００℃的裂解产物上在１．０５ＧＰａ压力下获得的，数值约１０