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(B/Ti)n/TaN薄膜点火桥的制备及点火性能

         

摘要

利用磁控溅射与微细加工技术,将B/Ti多层膜沉积在TaN模桥制备了(B/Ti)n/TaN薄膜点火桥(膜桥),其中TaN膜桥的尺寸为80 μm×40 μm×2 μm,B/Ti多层膜尺寸为4 mm×4 mm,层数为40层,第一层B厚度400 nm,其后每层B或Ti厚度为200 nm,总厚度约8μm.用电压40 V、电容47μF的钽电容对样品进行发火性能测试.结果表明:TaN膜桥的点火延迟时间为85μs、点火输入能量15 mJ、爆炸温度2500 ~3500 K、火焰持续时间0.15 ms左右、炸药持续高度5 mm左右,而(B/Ti)n/TaN膜桥的点火延迟时间为37 μs、点火输入能量6 mJ、爆炸温度4000 ~8500 K、火焰持续时间大于0.25 ms、火焰持续高度10 mm以上.在点火桥上沉积B/Ti多层膜可降低点火延迟时间和点火输入能量,有效提升火工品的点火性能.

著录项

  • 来源
    《含能材料》 |2015年第3期|265-269|共5页
  • 作者单位

    电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

    电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

    电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

    电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

    电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

    电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 应用化学;
  • 关键词

    磁控溅射; (B/Ti)n/TaN膜桥; TaN膜桥; B/Ti多层膜;

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