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高线性度上变频混频器设计

         

摘要

首先介绍了二次变频接收机的架构及其优点,随后采用Gilbert单元设计了适用于二次变频结构数字电视调谐器的上变频混频器.基于Chartered 0.25 μm CMOS工艺的仿真结果显示该混频器达到了良好的性能;转换增益为3 dB,在50~860 MHz的频率范围内增益变化小于0.5 dB,IIP3为10 dBm,在3.3 V单电源下消耗20 mA的电流.对实际样片的测试表明电路的混频功能良好.

著录项

  • 来源
    《电子器件》 |2004年第4期|603-606|共4页
  • 作者单位

    东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;

    东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;

    东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;

    东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;

    东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 变频器、混频器;
  • 关键词

    上变频混频器; 线性度; 0.25 μm CMOS;

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