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微波管内的表面击穿

             

摘要

全面介绍了真空条件下表面击穿的研究状况,重点讨论了二次电子发射雪崩理论,论述了二次电子发射、陶瓷表面处理、磁场、解吸附等因素对表面击穿的影响,并讨论了增加表面击穿电压的各种办法.为研究微波管的人员提供了理论参考.

著录项

  • 来源
    《电子器件 》 |2007年第3期|770-774|共5页
  • 作者单位

    电子科技大学,大功率微波电真空器件技术重点实验室,成都,610054;

    电子科技大学,大功率微波电真空器件技术重点实验室,成都,610054;

    电子科技大学,大功率微波电真空器件技术重点实验室,成都,610054;

    电子科技大学,大功率微波电真空器件技术重点实验室,成都,610054;

    电子科技大学,大功率微波电真空器件技术重点实验室,成都,610054;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 微波电子管 ;
  • 关键词

    表面击穿; 真空 ; 二次电子发射 ; 解吸附 ;

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