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徐衍岭; 王继扬;
哈尔滨工业大学应用化学系;
山东大学晶体材料国家重点实验室;
双掺杂; 图象微分; 衍射效率; 晶体生长; 铌酸锂;
机译:多次反射法测量非掺杂5%MgO掺杂LiNbO3 sub>晶体和1.8%MgO准化学计量LiNbO3 sub>晶体的电光系数r 22 sub>的波长依赖性干扰法
机译:Ce,Fe:LiNbO3双掺杂光折变晶体的研究
机译:激光加热的基底生长法生长YB3 +掺杂的LiNBO3晶体科学出版物
机译:Fe2O3掺杂浓度对TSSG法生长Zn∶Fe∶LiNbO3晶体结构和光折变性能的影响
机译:固态化学:第一部分。过氧化双癸酰分解的机理研究。第二部分通过2-(羟甲基)-2-甲基-1,3-丙二醇的晶体堆积对晶体生长机理的可能见解
机译:MgO共掺杂对LiNbO3:Zr晶体中相匹配温度的线性调谐
机译:Ru掺杂的全等LiNbO3的晶体生长及晶体完整性和光学性质的研究
机译:掺杂Dy 3+离子的LiNbO3单晶的生长和基础研究
机译:用作横向VMOS晶体管的晶体管结构包括n掺杂的衬底层,p +掺杂的层,外延生长的n掺杂的层,p掺杂的p阱,p +掺杂的袋和多晶硅层
机译:用于MOSFET的半导体结构,具有与n型双栅晶体管的背栅的一部分和p型双栅晶体管的背栅的一部分相接触的单阱,其中栅极被相同的掺杂剂掺杂。
机译:具有受控掺杂的双极横向晶体管-电流增益优于恒定基极掺杂双极横向晶体管
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