石墨烯诱导的二硫化钼空穴导电

摘要

为研究石墨烯的高迁移率及二硫化钼带隙的结合及其界面处的物理行为,利用干法转移的手段制备石墨烯/二硫化钼异质结,并对其进行了低温电学输运测量。测量结果显示,异质结区域石墨烯的空穴导电能力被减弱。在1K温度下,二硫化钼出现了空穴导电行为。随后,在室温下对异质结进行了拉曼谱和光致发光（photoluminescence,PL）谱测量,异质结区域二硫化钼拉曼峰位出现蓝移现象,同时PL谱峰强度显著减弱。该现象说明石墨烯/二硫化钼界面处存在石墨烯向二硫化钼的电荷转移,空穴载流子诱导了二硫化钼空穴导电行为。