CdS纳米带的合成及其自组装机理

摘要

一维CdS纳米材料具有独特的光电性质，在纳米器件中有广泛应用。首先在水相中合成了CdS纳米带，然后借助扫描电镜、透射电镜、傅里叶变换红外光谱、能量色散谱、Zeta电位和荧光光谱等技术手段对纳米带进行了表征，并探讨了CdS纳米带的自组装机理。研究表明，这种多晶CdS纳米带是由CdTe纳米粒子中的Te2-缓慢氧化而得到的CdS纳米晶自组装形成的，强烈的偶极一偶极作用力是纳米粒子自组装的主要驱动力。纳米带的宽度为50-400nm，厚度为10-20nm，长度为几微米到几十微米。终产物中Cd、S元素的原子百分比接近1：1，而Te的含量几乎为0，说明Te2-基本上被S2-所取代。