电气和电子工程用材料科学

摘要

1’B纽3,1’尸212.2 01010030MOPECVD法制备超徽颗粒SnO:薄膜/张志勇,王雪文(西安理工大学)11叫匕大学学报(自然科学版).一20()O,30(3)一185一188以5 nC14液体为锡源用MOPECVD方法制备出了SnO:薄膜.用X射线衍射仪和透射电镜(TEM)分析了薄膜的晶体结构和5 n02晶体的赖粒度,优化出制备超微颖粒SnOZ薄膜的最佳工艺,并给此膜蒸发上电极,制成S”02气敏器件,测摄其对乙醉的气敏特性,实验证明减小Sr,02晶体的粒度可以改进元件的气敏特性.图3表1参5(木)约5 .3、i()名、二川一2,厚度约601,r:‘)进行化学气相沉积(CV[))