氮化铝粉体合成与改性研究进展

摘要

近年来,微电子和半导体技术的飞速发展,对器件材料散热功能的要求越来越高。氮化铝(AlN)因具备优良的理化性能,目前已被广泛应用于微电子及半导体器件的基板和封装领域中,同时在功率器件、深紫外LED及半导体衬底方面也具有广阔发展前景。高质量粉末原料是获得高性能AlN陶瓷的先决条件,要制备高导热的AlN陶瓷,首先需要制备出高纯度、细粒度、分散性和烧结性好的AlN粉末,而这些因素均取决于初始原料的纯度、合成方法和反应条件。本文阐述了国内外氮化铝粉体的合成方法和发展现状,探讨了氮化铝粉体水解方面的解决办法。