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卤化法制备高纯钛过程中杂质Cr的行为研究

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对卤化法制备高纯钛过程中杂质Cr的行为进行了热力学分析.实验条件下,在卤化源区(823-1023K),杂质Cr能与卤化剂反应,生成CrI2与CrI3;在沉积区(1373-1473K),CrI2不能分解,CrI3能够分解,杂质Cr主要来自于CrI3的分解携入.

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来源
《中国有色冶金》 |2011年第1期|73-75|共3页
作者
韩涛; 曾英; 李武斌; 王舟;
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作者单位

贵州大学材料与冶金学院,贵州,贵阳,550003;

贵州大学材料与冶金学院,贵州,贵阳,550003;

贵州大学材料与冶金学院,贵州,贵阳,550003;

贵州大学材料与冶金学院,贵州,贵阳,550003;

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正文语种 chi
中图分类钛;
关键词
高纯钛; 卤化法; 杂质; Cr; 热力学;

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