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晶体管; 三维; 硅基; Ⅲ-Ⅴ族化合物; 哈佛大学; 砷化镓铟; 运行速度; 集成电路;
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机译:集成Hfo_2 /锡门叠层的应变和非应变全耗尽型绝缘体上硅MOSFET的压阻效应。
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机译:薄的α-硅:氢发射极/硅锗基异质结双极晶体管。
机译:芳烃通过含V的全硅ZSM-22沸石立即羟基化为苯酚引发非自由基机理
机译:多面体低聚倍半硅氧烷 - 官能化全氟环丁基芳基醚聚合物:用全氟环丁基(pFCB)芳基醚聚合物共聚物功能化的多面体低聚倍半硅氧烷(pOss)的合成和性质概述
机译:具有垂直堆叠的双面全耗尽型绝缘体上硅晶体管的单片三维高层集成电路的制造方法
机译:硅基非晶硅薄膜晶体管的叠层非易失性存储器及其制造方法
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