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邢琨; 潘天宇; 张振;
合肥工业大学;
氮化镓; 硅衬底; 蓝光LED; 量子效率;
机译:利用由液体源前驱物形成的氮化镓种子层在硅衬底上生长的外延氮化镓薄膜
机译:硅衬底上的氮化镓基功率装置
机译:从瞬态电致发光特性分析氮化镓基发光二极管的内部量子效率
机译:氮化铟镓蓝光LED的双光子光束感应电流成像
机译:掺杂有稀土离子的宽带隙氮化物和掺杂有常规等电子杂质的氮化镓的发光特性。
机译:通过氮化硅衬底上电化学沉积的氧化镓的氮化合成氮化镓纳米结构
机译:基于铝和氮化镓在硅碳化硅衬底上生长铝和氮化镓氮化镓的复合材料的介电和热电性能
机译:硅衬底上氮化镓(GaN)薄膜的大面积外延过量生长(LEO)及其表征
机译:氮化镓基晶粒生长方式与氮化镓基化合物半导体的研究
机译:导电氮化物及其制造方法改善了垂直氮化镓基LED的发光特性
机译:氮化镓基半导体发光器件,制造氮化镓基半导体发光器件的方法,氮化镓基发光二极管,外延晶片以及制造氮化镓基发光二极管的方法
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