掺质极宽禁带半导体β-Ga2O3单晶光电性质调控研究进展

摘要

近年来,β-Ga2O3材料的研究和应用成为国际上的热点。由于β-Ga2O3禁带宽度大（4.8～4.9 eV）,击穿场强高达8 MV/cm~3,其单晶可以通过多种熔体法生长,故β-Ga2O3是一种极具潜力的应用于大功率电子设备和深紫外（DUV）光电探测器的半导体材料。本文综述介绍了β-Ga2O3晶体的结构、光电性质和单晶生长方法,总结了不同掺质β-Ga2O3晶体的光学性质和电学性质。人们可以通过不同掺质对晶体的光电性质进行调控,以满足不同的应用目的。最后总结了β-Ga2O3晶体在功率器件、LED衬底和日盲探测器方面的应用。