高功率密度紫外LED结温测量与仿真

摘要

散热性能的好坏决定了高功率密度紫外LED的辐射效率和寿命.其中结温是判断芯片热学性能的重要指标之一.本文设计了紫外LED的水冷系统,采用正向电压法和红外测温法测量了紫外LED芯片的结温以及基板温度,同时利用COMSOL进行实验系统仿真.结果表明,在电流20 A、水冷温度20℃时,单颗紫外LED芯片的输入功率为73.38 W,功率密度815.3 W/cm2,结温70℃.仿真与实验结果相符.