首页> 中文期刊> 《中国集成电路》 >赛普拉斯与上海华力微电子共同宣布55nm低功耗闪存产品进入试产阶段

赛普拉斯与上海华力微电子共同宣布55nm低功耗闪存产品进入试产阶段

         

摘要

赛普拉斯半导体公司(赛普拉斯)与L海华力微电子有限公司(华力)日前共同宣布,基于华力55nm低功耗工艺技术和赛普拉斯氧化硅氮氧化硅(SONOS)嵌入式闪存知识产权相结合,为闪仔产品树立了一个新的里程碑。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号