TSMC跳过22纳米直接发展20纳米工艺

摘要

cqvip:TSMC宣布将跳过22纳米工艺，直接发展20纳米工艺。此系基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。TSMC20纳米工艺系在平面电晶体结构工艺的基础上采用强化的高介电值／金属闸、创新的应变硅晶与低电阻／超低介电值铜导线等技术。同时，在其他电晶体结构工艺方面，例如鳍式场效电晶体及高迁移率元件，也展现了刷新记录的可行性指标结果。