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微米工艺; PDK; 制程; 工艺流程; 设计平台; 微电子; IC;
机译:A部位不足的钙钛矿Sr_0.5La_0.05Li_0.35square_0.1Ti_0.5Ta_0.5O_3和Sr_0.35La_0.15Li_0.35square_0.15Ti_0.5Ta_0.5O_3的锂离子电导率
机译:(1-x)Li0.5sm0.5tio3-XNA(0.5)SM(0.5)TiO(3)(x = 0.35至0.45)陶瓷(x = 0.35至0.45)烧结特性和微波介电性能
机译:不同合成工艺对0.65(K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3)-0.35BaTiO_3陶瓷介电和压电性能的影响
机译:在制品。开源标准细胞表征工艺流程分别为45 nm(FreePDK45),0.18 µm,0.25 µm,0.35 µm和0.5 µm
机译:使用XFAB 0.35微米工艺设计轨到轨运算放大器。
机译:在阱层中具有不同Si掺杂水平的Al0.5Ga0.5N / Al0.35Ga0.65N MQW中自由和束缚的激子效应
机译:锂离子电导率在a现场缺乏钙酸盐Sr 0.5 sub>在 0.05 sub> li 0.35 sub>□ 0.1 sub> ti 0.5 sub> ta 0.5 sub> O 3 sub>和sr 0.35 sub>在 0.15 sub> li 0.35 sub> □<亚> 0.L5 sub> Ti 0.5 sub> Ta 0.5 sub> O 3 sub>
机译:0.35微米至14微米波长区域的大气传输研究
机译:0.5微米和0.35微米技术的超薄PECVD SiO.2
机译:在0.5微米和0.35微米技术中沉积非常薄的PECVD SiO.2的方法
机译:在0.5微米和0.35微米技术中用于电阻保护的非常薄的PECVD SiO2
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