一种带有曲率补偿的高电源抑制带隙基准电路设计

摘要

本文基于标准SMIC 65nm工艺,设计了一款输入电压为2.5V,输出电压为1.217V的带隙基准电路。本文首先介绍了传统的带隙基准电路工作原理,在此基础上提出电路采用工作在亚阈值区域MOSFET的曲率校正方法,实现低温漂,提出PSRR增强电路获得高PSRR特性。由仿真结果可看出,在不同工艺角温度从-55℃~125℃变化,基准电压源输出电压变化范围大约在2~4.5Mv,温度系数变化较小,并且该带隙基准电路在低频12HZ时的电源抑制比为-112.8dB。