一种X波段瓦片式T/R组件的设计与实现

摘要

应用GeSi幅相多功能芯片、GaN多功能芯片,设计制作了一种X波段双通道瓦片式T/R组件,组件工作频率为8.5~10.5 GHz.组件采用BGA(Ball Grid Array)球的三维高密度集成技术使微波多层基板之间实现了三维垂直互联.充分考虑腔体效应、芯片的级间匹配问题,利用芯片的S参数、三维垂直互联模型,应用仿真软件对T/R组件进行了仿真.采用SMT工艺、MCM工艺,合理设置温度梯度,对组件进行了装配、测试,测试结果与仿真数据有较好的拟合.接收支路噪声系数小于3.5 dB,接收增益大于27.5 dB,发射支路的输出脉冲功率大于32.5 dBm,T/R组件6位移相、6位衰减,移相均方根误差小于3.4°,衰减幅度均方根误差小于0.8 dB.组件尺寸为30 mm×20 mm×2.5 mm(微波传输方向20 mm).