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夏思雨; 杜娴; 赵帆; 李倩倩; 陆彤; 杜慧玲;
西安科技大学;
AgNbO; 3; 反铁电材料; 介电性能; 第一性原理; 能带结构;
机译:在现场掺杂银铌酸无铅陶瓷中的防火和铁电性
机译:La共掺杂在Ce掺杂钇铝石榴石中引起的结构效应和4f-5d转变位移:第一性原理研究
机译:镓掺杂对铈掺杂钇铝石榴石的结构,电子和光谱学影响:第一性原理研究
机译:纯金和金或银掺杂锌共混物ZnS的电子结构和光学性质的第一性原理研究
机译:掺杂和不掺杂铌酸铅铟:铌酸镁铅的温度稳定性得到改善的高介电常数陶瓷和薄膜的研究
机译:洞察钇掺杂的影响电子结构上BaTiO3的Ba和Ti位和光学性质:第一性原理研究
机译:Li掺杂的铌酸银(ag,Li)NbO3的铁电性
机译:空心阴极区精炼机中掺杂和未掺杂的氧化钇和铝酸钇单晶的生长
机译:具有改善的亮度的铌活化钽酸钇钇x射线荧光粉及其制造方法
机译:可用于制造致动器装置和/或压电传感器的陶瓷材料包括离子掺杂剂的组合,该离子掺杂剂包括例如单价离子。锂和/或银,以及三价离子,例如铁和/或钇
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