三聚噻吩的表面光电压谱研究

曹昌盛; 王策; 曹亚安; 史延慧; 李铁津

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三聚噻吩的表面光电压谱研究

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采用表面光电压和电场诱导表面光电压技术研究了三聚噻吩在外电场作用下的电子运动行为. 结合三聚噻吩的UV光谱、极化子概念以及前线轨道理论, 指认了三聚噻吩能级跃迁性质, 即380 nm附近的峰为带-带跃迁峰, 447, 465和600 nm附近的峰是与单极化子有关的电子跃迁; 而在770和900 nm附近的峰则是与双极化子有关的电子跃迁峰.

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来源
《高等学校化学学报》 |2001年第6期|1010-1012|共3页
作者
曹昌盛; 王策; 曹亚安; 史延慧; 李铁津;
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作者单位

吉林大学化学系,;

吉林大学化学系,;

中国科学院化学研究所,;

吉林大学化学系,;

吉林大学化学系,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光化学、辐射化学、超声波作用的化学过程;
关键词
三聚噻吩(α-3T); 极化子; 表面光电压谱(SPS); 电场诱导表面光电压(EFISPS);

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