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高铜含量中孔Cu-Si二元氧化物的合成和表征

     

摘要

采用CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)为模板剂, Na2SiO3*10H2O为硅源, Cu(NH3)4(NO3)2为铜源, 在常温下成功地合成出含铜质量分数高达26%, 具有中孔结构的硅基氧化铜复合材料. 较系统地研究了反应时间、温度、 pH值和铜掺入量等对产物性能的影响. 用XRD, HRTEM, FTIR, BET, TG-DTA, ICP和XPS等手段对合成产物的结构进行了表征.

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