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CMP抛光用纳米氧化铝制备工艺研究

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本研究以中铝山东有限公司Al2(SO4)3原料,通过与NH4 HCO3沉淀反应,在pH=5.5～6.0、温度25°C条件下制得纳米级前驱体无定型前驱体,前驱体经1200°C焙烧制得粒径300 nm氧化铝.为CMP抛光用高端超细氧化铝粉体的制备提供可行的技术路线.

著录项

来源
《陶瓷》 |2021年第8期|35-36|共2页
作者
杨丛林; 孙计赞; 刘胜;
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作者单位

中铝山东有限公司山东淄博 255000;

淄博海关山东淄博 255000;

淄博海关山东淄博 255000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TQ174.76+9;
关键词
无定型; 纳米氧化铝; CMP抛光;

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