直接浸渗法制备MoSi2/SiC复合材料在900℃下氧化性能研究

尹斌; 万隆; 刘小磐

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直接浸渗法制备MoSi2/SiC复合材料在900℃下氧化性能研究

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研究了直接浸渗法制备的MoSi2/SiC复合材料在900℃温度下的氧化性能,以及复合材料在该温度下表现为硅、钼同时氧化.由于MoO3的挥发复合材料表现为失重,复合材料的失重量与材料的孔隙率和SiC粒径大小有关,孔隙率越高,SiC粒径越小其失重量越大.MoSi2/SiC复合材料在900℃氧化时氧化层结构蔬松,表面存在大量气孔,无法在材料表面形成致密的SiO2氧化层.

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来源
《陶瓷》 |2006年第2期|13-1518|共4页
作者
尹斌; 万隆; 刘小磐;
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作者单位

湖南大学材料科学与工程学院,长沙,410082;

湖南大学材料科学与工程学院,长沙,410082;

湖南大学材料科学与工程学院,长沙,410082;

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正文语种 chi
中图分类硅酸盐工业;
关键词
浸渗法; 复合材料; 氧化性能;

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