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无压烧结制备Al2O3/SiC纳米复合陶瓷

             

摘要

用沉淀法包裹微米级SiC颗粒,通过常压、埋烧制备Al2O3/SiC纳米复合陶瓷.通过XRD、TG和SEM等分析了煅烧和烧结过程中相组成的变化、烧成收缩和显微结构.结果表明:利用SiC粉埋烧及碳粉制造还原气氛,含8wt%SiC(平均粒径为5mm)的复合粉末经800℃煅烧、成型,试样于1550℃,2h烧结,可制备Al2O3/SiC纳米复合陶瓷,其相对体积密度达95.2%,在烧结过程中由SiC氧化形成的无定形SiO2及与基质氧化铝反应形成的莫来石前躯体可大大促进烧结.

著录项

  • 来源
    《陶瓷科学与艺术》 |2003年第5期|23-27|共5页
  • 作者

    蔡舒; 彭珍珍; 冯杰; 鲁枫;

  • 作者单位

    天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津大学材料学院,天津·300072;

    天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津大学材料学院,天津·300072;

    天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津大学材料学院,天津·300072;

    天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津大学材料学院,天津·300072;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TQ174.758;
  • 关键词

    沉淀包裹法 AlO23/SiC纳米陶瓷 无压埋烧;

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