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GaAs/AlGaAs多量子阱红外控制器耦合效率与光栅周期关系的研究

         

摘要

我们详细研究平面金属光栅耦合GaAs/AlGaAs量子阱红外光探测器耦合量子效率对光栅周期的依赖关系。为进行这项研究我们制备了光栅周期λ=1.1,3.2,5.7和10μm五种不同的探测器样品。

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