半桥栅驱动600v高压驱动芯片设计

摘要

cqvip:本文描述一种可驱动功率MOSFET和IGBT600v高压集成电路,它采用B.C.D.技术,把控制电路、检测保护电路、高低压电平移位电路、输出缓冲电路等集成到一块芯片上。本文就其采用的高压工艺平台、电路原理及版图设计作了初步的研究和试制,并对研制的初步结果进行了分析讨论。