深亚微米BiCMOSB芯片与制程剖面结构

摘要

深亚微米BiCMOS[B]技术能够实现双极型与CMOS元器件兼容的工艺.为了便于集成,以双极型制程为基础,引入Twin-Well CMOS元器件工艺,在同一硅衬底上实现兼容的BiCMOS[B]工艺.采用深亚微米BiCMOS[B]集成电路芯片结构设计的工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构.