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半导体薄膜; 氮化镓; 组件; 蓝光; 结晶; 辉度; 美国加州大学; 成功开发; 科学技术;
机译:使用顺序表面反应在室温和100摄氏度下电子增强结晶氮化镓薄膜的生长
机译:新型2D结构材料:碳氮化镓(CC-GaN)和硼氮化镓(BN-GaN)异质结构-通过密度泛函理论进行材料设计
机译:具有RF溅射法的氮化镓压电薄膜的天文台和SC加入具有RF溅射法,HF和Mo金属对准层的使用氮化镓薄膜改善了
机译:氮化镓薄膜和氮化镓纳米带的合成氮含量氮化成砷化镓
机译:原子清洁的氮化镓(0001)和氮化铝(0001)薄膜的制备,表征以及通过碘汽相生长沉积厚的氮化镓薄膜。
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:由氧化镓,氮化镓和锆酸钡制成的PLD制成的层中结晶度和化学计量的变化
机译:新型碳化钽(TaC)衬底上低缺陷密度氮化镓(GaN)薄膜的生长,提高器件性能
机译:单结晶氮化镓基体,单结晶氮化镓的晶体生长方法和单结晶氮化镓基体的生产方法
机译:氮化镓薄膜模板基板,氮化镓薄膜模板基板和氮化镓薄膜单晶的制造方法
机译:具有高绝缘性的单氮化镓氮化镓薄膜的半导体器件
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