氢原子与H-Si(100)表面作用提取的氢分子角分布研究

摘要

利用可旋转四极质谱仪对氢原子束与氢化Si(100)表面作用中氢提取反应产生的氢分子角分布进行了系统的分析。发现氢原子束与氢化Si(100)表面作用中,从氢化Si(100)表面脱附的氢分子具有较宽的角分布,并可以用函数cosnθf(其中n<1)拟合氢分子角分布。脱附的氢分子角分布与Si(100)表面温度和表面重构模型无关。根据硅表面重构机制,用非活性脱氢模型对实验结果进行了合理的解释。