铁印化膜半导体特性的光电化学研究

摘要

近年来,光电化学作为金属钝化膜的“现场”(insltu)研究方法越来越受到重视。本文研究了铁钝化膜在硼酸/硼酸钠溶液中的光电化学行为,通过钝化膜的光电流响应与入射光强、波长及电极电位关系研究,说明铁钝化膜的非晶态n型半导体特性。实验部分研究电极由99.99%的纯铁制成(购自上海冶金所),受光面积为0.5cm^2,对电极为1cm^2的铂片,饱和甘汞电极作参比电极。溶液的组成为Na_2B_4O_7(0.075mol·L^(-1))+H_3BO_3(0.3mol·L(-1)),试剂均为分折纯,用二次蒸馏水配制。灯源为400W溴钨灯,光强用JG-Ⅰ型绝对功率计(长春真空器件厂)测量,电极电位用DH-Ⅱ型双恒电位仪(延边电化学仪器厂)控制,测量光电流-电位及光电流-光强关系时,用脉冲白光作光源,脉冲光的频率用斩光器调节。测量光电流-波长关系时,用WDG-Ⅰ型强光单色仪(四平光学仪器厂)产生单色光,并用PAR-5202型锁相放大器测量光电流,