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DEA(TCNQ)2与TEA(TCNQ)2单晶上的STM热化学烧孔性能比较

         

摘要

利用STM隧道电流焦耳热诱导分解气化的热化学烧孔方法,对两种存储材料DEA(TCNQ)2和TEA(TCNQ)2的存储性能作了比较,DEA(TCNQ)2可以得到更高的存储密度、更大的信息孔深/孔径比,有更大的写入阈值电压由此说明通过对存储材料的设计可以对存储系统的性能进行优化.

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