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张开明; 叶令;
无;
机译:GaAs(001)2x4和GaAs(110)表面的电子结构通过高分辨率电子能量损失谱研究
机译:NiMnSb / GaAs(110)界面的电子结构和自旋极化
机译:AlSb(110)和GaSb(110)表面的原子几何,电子结构和振动特性
机译:MeAs / GaAs(001)多层膜和GaAs表面的第一性原理电子结构计算
机译:干净的钽(110)以及钽(110)上化学吸附的单价原子的表面电子结构。
机译:AlAsGaAs和GaAs / AlAs超晶格的低能辐射响应及其对电子结构的损伤作用的比较研究
机译:分裂的干净的和覆盖氧气的GaAs(110)表面的电子结构
机译:采用俄歇光电子能谱研究了Gaas(110)的表面电子结构
机译:(110)GaAs微波FET
机译:基于VTvaf17基因治疗DNA载体的基因治疗DNA载体,其携带选自ANG,ANGPT1,VEGFA,FGF1,HIF1α,HGF,SDF1,KLK4,PDGFC,PROK1,PROK2的靶基因以增加这些靶标的表达水平基因,方法的制备和使用,大肠杆菌菌株SCS110-AF / VTvaf17-ANG或大肠杆菌SCS110-AF / VTvaf17-ANGPT1或大肠杆菌SCS110-AF / VTvaf17-VEGFA或大肠杆菌SCS110-AF / VTvaf17-Fichia-SC110 AF /VTvaf17-HIF1α或大肠杆菌SCS110-AF / VTvaf17-HGF或大肠杆菌SCS110-AF / VTvaf17-SDF1或大肠杆菌SCS110-AF / VTvaf17-KLK4或大肠杆菌SCS110-AF / VTviFi10 S1携带基因治疗DNA载体的大肠杆菌SCS110-AF / VTvaf17-PROK2,其制备方法,工业生产基因治疗DNA载体的方法
机译:基于基因治疗DNA载体VTVAF17的基因治疗DNA载体,携带选自基因ANG,ANGPT1,VEGFA,FGF1,HIF1α,HGF,SDF1,KLK4,PDGFC,PROK1,PROK2表达的靶基因所述的靶标基因,其生产和使用方法,应变大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-ANG或大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-ANGPT1或大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-VEGFA或大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-FGF1,或大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-HIF1A,或大肠埃希氏菌COLI SCS110-AF / VTVAF17-HGF,或大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-SDF1,或大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-KLK4,大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-PDGFC或大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-PROK2,携带基因-治疗性DNA载体,生产方法,工业生产方法-治疗性DNA载体
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