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罗诗裕; 邵明珠; 唐建宁; 刘曾荣;
无;
机译:通过将Au纳米粒子嵌入沟道层中的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电学行为
机译:双层具有量子阱结构的沟道增强了后沟道刻蚀非晶InGaZnO TFT的迁移率
机译:场效应迁移率超过50 cm〜2 / Vs且耐沟道厚度色散的非晶ZTO / ITO堆叠沟道TFT
机译:在35 cm〜2 / Vsec范围内具有高迁移率的非晶In-Zn-O薄膜晶体管的沟道缩放行为
机译:使用InAlP氧化物作为RF应用的栅极介电质的准非晶In0.22Ga0.78As沟道MOSFET。
机译:具有埋沟道层的非晶InGaZnO薄膜晶体管的电性能和偏压应力稳定性
机译:协商左手弯和右手弯:摩托车模拟器研究,研究跨骑手群体的体验和行为差异
机译:超柔性,不可见的薄膜晶体管,由非晶金属氧化物/聚合物沟道层混合物制成。
机译:以非晶氧化物膜为沟道层的场效应晶体管,以非晶氧化物膜为沟道层的场效应晶体管的制造方法
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