由电阻率的准静态测量研究薄膜晶粒的生长动力学

摘要

提出一种用薄膜电阻率的准静态测量来进行薄膜晶粒生长动力学研究的方法。在超高真空系统中用直流溅射制备Ｐｄ膜，然后测量不同温度下Ｐｄ膜电阻率与退火时间的关系。利用二流体模型推算出对应晶粒尺寸大小的变化，并和ＴＥＭ结果进行比较。在此基础上进一步分析了退火温度对薄膜中晶粒尺寸变化所起的作用，拟合出晶粒的生长曲线。实验结果表明晶粒长大是一种热激活生长过程，激活能约为０．５３ｅＶ。