入射光的偏振特性对全内反射荧光显微术中荧光激发的影响

摘要

基于麦克斯韦的电磁场理论,研究了在全内反射荧光显微术中不同偏振态的入射光所产生的不同偏振的隐失场以及对不同取向的荧光分子荧光发射的影响.理论分析结果表明,p偏振的入射场将产生椭圆偏振的隐失场,s偏振的入射场将产生s偏振的隐失场.随着荧光分子三维取向的不同,这两种隐失场的激发荧光效率也将不同,由此引起荧光发射强度的各向异性分布.据此特性,可以实现对膜表面分子三维取向的成像.