离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模

王勇刚; 马骁宇; 付圣贵; 范万德; 李强; 袁树忠; 董孝义; 宋晏蓉; 张志刚

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用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模.离子注入的能量为400keV的As+离子,注入剂量为1016/cm2,然后在600℃下退火20min.当抽运功率为5W时,脉冲平均输出功率为200mW,调Q包络重复频率为50kHz,半高宽为4μs,锁模脉冲重复频率为15MHz.

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来源
《物理学报》 |2004年第6期|1810-1814|共5页
作者
王勇刚; 马骁宇; 付圣贵; 范万德; 李强; 袁树忠; 董孝义; 宋晏蓉; 张志刚;
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作者单位

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

南开大学现代光学研究所,天津,300071;

南开大学现代光学研究所,天津,300071;

南开大学现代光学研究所,天津,300071;

南开大学现代光学研究所,天津,300071;

南开大学现代光学研究所,天津,300071;

北京工业大学应用数理学院,北京,100022;

北京工业大学应用数理学院,北京,100022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学 ;
关键词
离子注入GaAs; 掺镱光纤激光器; 被动调Q锁模;

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